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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
摘要：一种微型发光二极管W的巨量转移方法及显示面板，包括：采用转移基板300将元件基板200上的微型发光二极管W进行拾取，并在拾取后转移至中载基板400上；将中载基板400上且对应目标基板100上的各子像素SPX的微型发光二极管W一次性转移至目标基板100的子像素SPX内，使目标基板100上的所有子像素SPX一次性接收到微型发光二极管W。
主权项：1.一种微型发光二极管的巨量转移方法，其中，包括：采用转移基板将元件基板上的微型发光二极管进行拾取，并在拾取后转移至中载基板上；将所述中载基板上且对应目标基板上的各子像素的微型发光二极管一次性转移至目标基板的子像素内，使所述目标基板上的所有子像素一次性接收到微型发光二极管；其中，所述中载基板背离转移的微型发光二极管一侧形成有控光基板；所述控光基板具有间隔设置的多个控光区，一个所述控光区在所述中载基板的正投影覆盖所述中载基板上的一个微型发光二极管在所述中载基板的正投影；所述将所述中载基板上且对应目标基板上的各子像素的微型发光二极管一次性转移至目标基板的子像素内，使所述目标基板上的所有子像素一次性接收到微型发光二极管，具体包括：将所述中载基板与所述目标基板进行对位和贴合；控制所述控光基板对应所述目标基板的各子像素的控光区透光，其余控光区遮光；采用激光照射，将所述中载基板上对应所述透光的控光区的微型发光二极管与所述中载基板分离，以将所述中载基板上的微型发光二极管转移至所述目标基板上的子像素内，使所述目标基板上的所有子像素一次性接收到微型发光二极管；所述控光基板为液晶显示面板；所述液晶显示面板的液晶层面向所述中载基板的一侧形成有透镜层；所述透镜层包括多个透镜结构，一个所述透镜结构在所述中载基板的正投影与一个所述控光区至少具有交叠区域。
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百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 微型发光二极管的巨量转移方法及显示面板
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