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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种SRAM的存储单元结构，包括：主体电路，写端口电路和读端口电路；主体电路包括一对互为反相且互相锁存的第一存储节点和第二存储节点；读端口电路包括第一MOS晶体管，第一MOS晶体管的栅极连接第一和第二存储节点中的一个，第一MOS晶体管的两个源漏区分别连接读位线和读字线；在读操作过程中，读位线为低电平，读字线为高电平；在写操作和待机的过程中，读位线和读字线都保持为低电平。本发明还公开了一种SRAM的阵列结构。本发明能提高SRAM的静态噪声容限和写入余量，同时减少电路面积。
主权项：1.一种SRAM的阵列结构，其特征在于：阵列结构由存储单元行列排列而成；存储单元包括：主体电路，写端口电路和读端口电路；所述主体电路包括一对互为反相且互相锁存的第一存储节点和第二存储节点；所述读端口电路包括第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的栅极连接所述第一存储节点和所述第二存储节点中的一个，所述第一MOS晶体管的第一源漏区连接读位线，所述第一MOS晶体管的第二源漏区连接读字线；所述存储单元的操作包括写操作、读操作和待机；在读操作过程中，所述读位线为低电平，所述读字线为高电平；在写操作和待机的过程中，所述读位线和所述读字线都保持为低电平，以消除所述读位线和所述读字线通过所述第一MOS晶体管对所述主体电路产生干扰，提高SRAM的静态噪声容限和写入余量；同一行中，相邻两列的所述存储单元的读端口电路形成在同一第一有源区中；位于同一所述第一有源区中的相邻两列的所述第一MOS晶体管的第二源漏区共用以及读字线共用；同一行的共用同一个所述第一有源区的两个相邻列的所述存储单元的版图呈以共用的所述第二源漏区的中心为对称中心的中心对称结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SRAM的存储单元结构及阵列结构
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