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申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司
摘要：一种纳米线阵列器件及其制备方法，其中，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底表面覆盖牺牲层；在所述牺牲层表面交替形成多个第一侧墙和多个第二侧墙，对于所述第一侧墙和所述第二侧墙中在后形成的侧墙，在形成所述侧墙之前，还包括：至少在所述第一侧墙和所述第二侧墙中在先形成的侧墙的侧壁设置阻挡结构；所述方法还包括：去除所述多个第二侧墙；以所述多个第一侧墙为掩膜刻蚀所述牺牲层；去除所述多个第一侧墙，以形成所述纳米线阵列器件。采用本申请的技术方案，能够显著提高纳米线阵列器件的生产效率。
主权项：1.一种纳米线阵列器件，其特征在于，包括：衬底；纳米线阵列，包括沿第一方向间隔排布的多根纳米线，所述纳米线是以第一侧墙为掩膜刻蚀得到的，相邻所述第一侧墙之间填充有可去除的第二侧墙，所述第二侧墙和相邻的所述第一侧墙之间设置有阻挡结构，其中，所述第一方向平行于所述第一侧墙和所述第二侧墙中在先形成的侧墙指向在后形成的侧墙的方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 纳米线阵列器件及其制备方法
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