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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：公开了半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的半导体衬底；以及从第一主表面延伸至半导体衬底中的沟槽结构。该沟槽结构包括：从第一主表面延伸至半导体衬底中的上部部段；在沟槽结构的与上部部段相对的端部处的下部部段；在上部部段与下部部段之间的第一中间部段；在上部部段中并且与半导体衬底电介质绝缘的场板；以及完全填充下部部段的第一电介质材料。下部部段、上部部段和第一中间部段具有不同的几何形状和或不同的电介质材料。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；以及沟槽结构，所述沟槽结构从所述第一主表面延伸至所述半导体衬底中，其中，所述沟槽结构包括：从所述第一主表面延伸至所述半导体衬底中的上部部段；在所述沟槽结构的与所述上部部段相对的端部处的下部部段；在所述上部部段与所述下部部段之间的第一中间部段；在所述上部部段中并且与所述半导体衬底电介质绝缘的场板；以及完全填充所述下部部段的第一电介质材料，其中，所述下部部段、所述上部部段和所述第一中间部段具有不同的几何形状和或不同的电介质材料。
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