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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本公开内容的实施例提供了用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该方法包括：提供一半导体结构，其中，半导体结构包括第一组栅极结构和第二组栅极结构，第一组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离大于第二组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离；在第一组栅极结构的侧面和第二组栅极结构的侧面形成第一材料层；形成覆盖第一组栅极结构的上方以及覆盖位于第一组栅极结构的侧面的第一材料层的第二材料层；采用各向同性蚀刻法，去除位于第二组栅极结构的侧面的第一材料层；在第一组栅极结构的侧面和第二组栅极结构的侧面形成第三材料层。
主权项：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供一半导体结构，其中，所述半导体结构包括第一组栅极结构和第二组栅极结构，所述第一组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离大于所述第二组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离；在所述第一组栅极结构的侧面和所述第二组栅极结构的侧面形成第一材料层；形成覆盖所述第一组栅极结构的上方以及覆盖位于所述第一组栅极结构的侧面的所述第一材料层的第二材料层；采用各向同性蚀刻法，去除位于所述第二组栅极结构的侧面的所述第一材料层；在所述第一组栅极结构的侧面和所述第二组栅极结构的侧面形成第三材料层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于形成半导体器件的方法和半导体器件
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