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申请/专利权人：杭州高裕电子科技股份有限公司

摘要：本发明涉及一种二极管全动态老化设备，包括机柜，机柜里设有变压器及调压组件，直流电源组件，上位机、待测器件阵列板以及控制电路板，直流电源组件与待测器件阵列板之间设有可控硅整流器；控制电路板包括MCU芯片、正向电流组件、反向偏置电压组件、电流转换和采样模块、电流控制模块以及电流控制基准信号输出模块，电流转换和采样模块采集正向电流，并转化出Ifb信号和Ifs信号，MCU芯片对Ifs信号处理后再经过电流控制基准信号输出模块形成基准信号Vref；电流控制模块对基准信号Vref与Ifb信号进行处理后对电流进行调节，使得待测二极管上的正向电流满足测试要求。本发明的老化设备整体结构紧凑，老化电路能自动调节。

主权项：1.一种二极管全动态老化设备，包括机柜（1）、设置在机柜（1）的上部的变压器及调压组件（3），设置在述机柜（1）的底部的直流电源组件（2），以及设置在所述机柜（1）中部的多个老化驱动一体箱（4）以及上位机；其特征在于，所述老化驱动一体箱（4）包括箱体、待测器件阵列板以及固定在箱体后部的控制电路板，所述待测器件阵列板插设在箱体前部，且通过接插电路板（42）与控制电路板插接导通；所述直流电源组件（2）以及变压器及调压组件（3）分别为待测器件阵列板上的多个待测二极管提供正向电流以及反向电压，且直流电源组件与待测器件阵列板之间还设有可控硅整流器；所述控制电路板包括MCU芯片、正向电流组件、反向偏置电压组件、电流转换和采样模块、电流控制模块以及电流控制基准信号输出模块，每个待测二极管与相应的反向偏置电压组件以及变压器及调压组件（3）形成反向电压试验回路；每个待测二极管与相对应的正向电流组件、电流转换和采样模块、电流控制模块、电流控制基准信号输出模块以及直流电源组件（2），形成正向电流试验回路；所述电流转换和采样模块采集正向电流试验回路的实时电流，并且转化出Ifb信号以及Ifs信号，所述Ifs信号通过模数转换模块处理后输送给MCU芯片，所述MCU芯片对信号处理后再经过电流控制基准信号输出模块形成基准信号Vref；所述电流控制模块对基准信号Vref与Ifb信号进行处理，进而输出调节信号对正向电流组件中的电流进行调节，使得待测二极管上的正向电流满足测试要求；所述正向电流组件包括依次串联的反向阻断二极管DIF1、调整管Q1以及采样电阻RIF1；所述电流转换和采样模块包括运算放大器U2、运算放大器U3、运算放大器U4和运算放大器U5，运算放大器U2、运算放大器U3的同向输入端分别连接采样电阻RIF1的两端，且两者的反向输入端之间通过电阻R6相互连接，运算放大器U2的输出端通过电阻R9与运算放大器U4的同向输入端连接，所述运算放大器U3的输出端通过电阻R10与运算放大器U4的反向输入端连接，所述运算放大器U2、运算放大器U3的反向输入端与输出端之间还分别跨接有电阻R7、电阻R8，所述运算放大器U4的输出端输出Ifb信号，所述运算放大器U4的反向输入端与输出端之间跨接有电阻R13，所述运算放大器U4的同向输入端还通过电阻R11连接接地端GND，运算放大器U4的输出端通过电阻R14与运算放大器U5的正向输入端连接，所述运算放大器U5的反向输入端与输出端之间还分别跨接有电容C4和电阻R15，所述运算放大器U5的同向输入端还通过电容C3连接接地端GND，所述运算放大器U5的反向输入端还通过电阻R16链接接地端GND，所述运算放大器U5的输出端输出Ifs信号；所述电流控制模块包括比较器U1、NPN三极管和PNP三极管，所述比较器U1的反向输入端和正向输入端分别通过电阻R2、电阻R1连接Ifb信号和基准信号Vref，比较器U1的反向输入端和输出端之间跨接电容C1，所述比较器U1的输出端与NPN三极管和PNP三极管的基极连接，所述NPN三极管和PNP三极管的发射极相连，所述NPN三极管和PNP三极管的集电极均连接供电电压，所述NPN三极管和PNP三极管发射极通过电阻R5连接至调整管Q1，使得待测二极管上的正向电流满足测试要求；所述电流控制基准信号输出模块包括变压器T2和数模转化器DAC，所述变压器T2上跨接有电阻RV1、电阻RV3，且电阻RV1与变压器T2之间串联有半波整流二极管DV1，电阻RV3与变压器T2之间串联有电阻RV2，所述数模转化器DAC的VREF端口、GND端口分别连接变压器T2的两端，变压器T2的交流信号经RV2，RV3分压后为模数转化器DAC提供交流基准，数模转化器DAC的数字信号端口与MCU芯片的相应引脚连接接收经过MCU芯片处理后的Ifs信号，所述数模转化器DAC的OUT端口输出基准信号Vref；所述老化驱动一体箱（4）的箱体中部通过隔板将箱体分为前部箱体（43）和后部箱体（44），所述前部箱体（43）的两侧还设有导轨（41），所述待测器件阵列板通过导轨（41）导向插设在老化驱动一体箱（4）内；所述隔板上还设有接插电路板（42），所述待测器件阵列板与控制电路板分别插接在接插电路板（42）的两侧，且相互导通；所述反向偏置电压组件包括依次串联的反向限流电阻RR1、反向漏流采集器RIR1以及正向信号阻断二极管DVR1，所述变压器及调压组件（3）与待测二极管之间还串联有反向电压整流硅堆。

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