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申请/专利权人：深圳市辰中科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
摘要：本发明实施例提供了晶圆膜层中物质浓度的量测方法和量测系统。所述晶圆膜层中物质浓度的量测方法包括：获取晶圆膜层中物质浓度与薄膜NK值之间的线性关系；提供目标晶圆；获取所述目标晶圆的目标薄膜NK值；根据所述目标薄膜NK值和所述线性关系得到所述目标晶圆的物质浓度。本实施例提供的晶圆膜层中物质浓度的量测方法能够实现准确且无损量测不同膜厚的晶圆中的物质浓度。
主权项：1.一种晶圆膜层中物质浓度的量测方法，其特征在于，包括：获取晶圆膜层中物质浓度与薄膜NK值之间的线性关系，所述物质浓度为SiGe浓度；提供目标晶圆；获取所述目标晶圆的目标薄膜NK值；根据所述目标薄膜NK值和所述线性关系得到所述目标晶圆的薄膜的物质浓度；其中，所述获取晶圆膜层中物质浓度与薄膜NK值之间的线性关系，具体包括：提供多个测试晶圆；通过浓度量测设备获取所述多个测试晶圆的薄膜的物质浓度；通过晶圆薄膜NK值量测设备获取所述多个测试晶圆的薄膜NK值，所述多个测试晶圆的薄膜的所述物质浓度和所述薄膜NK值一一对应；根据所述多个测试晶圆的薄膜的所述物质浓度和对应的薄膜NK值生成所述线性关系；提供多个验证测试晶圆；获取所述验证测试晶圆的薄膜NK值并根据所述线性关系得到所述验证测试晶圆的第一物质浓度；通过动态-二次离子质谱量测所述验证测试晶圆中的第二物质浓度；通过对比所述第一物质浓度和所述第二物质浓度对所述线性关系进行验证。
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百度查询： 深圳市辰中科技有限公司 深圳市晶相技术有限公司 晶圆膜层中物质浓度的量测方法和量测系统
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