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申请/专利权人：武汉敏声新技术有限公司
摘要：本实用新型公开了一种薄膜体声波谐振器，包括：硅衬底和碳化硅缓冲层，碳化硅缓冲层和硅衬底之间形成有空腔；下电极、压电层和上电极层叠设置于碳化硅缓冲层背离硅衬底的一侧，碳化硅缓冲层上设置有第一凹槽结构，和或，第一凸起结构。本实用新型实施例提供的薄膜体声波谐振器，在晶体结构和热膨胀系数上提供更好的匹配，减轻应力和晶格失配的影响，帮助减缓压电堆叠层和硅衬底之间的应变和失配问题，提高压电堆叠层的薄膜质量。同时，第一凹槽结构和或第一凸起结构在薄膜体声波谐振器的边缘处起到反射横向波动声能的作用，可以将横向波动的声能反射回谐振区域，从而有效减少能量泄漏和横向波动，增加薄膜体声波谐振器的Q值和精度。
主权项：1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：硅衬底；碳化硅缓冲层，所述碳化硅缓冲层与所述硅衬底一侧表面接触连接，且所述碳化硅缓冲层和所述硅衬底之间形成有空腔；下电极，位于所述碳化硅缓冲层背离所述硅衬底一侧的表面；压电层，位于所述下电极背离所述碳化硅缓冲层一侧的表面；上电极，位于所述压电层背离所述下电极一侧的表面；所述碳化硅缓冲层背离所述硅衬底的一侧设置有第一凹槽结构，所述第一凹槽结构围绕谐振区域设置；所述下电极包括与所述第一凹槽结构对应设置的第二凹槽结构，所述压电层包括与所述第二凹槽结构对应设置的第三凹槽结构，所述上电极包括与所述第三凹槽结构对应设置的第四凹槽结构，其中，所述第一凹槽结构、所述第二凹槽结构、所述第三凹槽结构和所述第四凹槽结构在所述硅衬底上的垂直投影交叠；和或，所述碳化硅缓冲层背离所述硅衬底的一侧设置有第一凸起结构，所述第一凸起结构围绕所述谐振区域设置；所述下电极包括与所述第一凸起结构对应设置的第二凸起结构，所述压电层包括与所述第二凸起结构对应设置的第三凸起结构，所述上电极包括与所述第三凸起结构对应设置的第四凸起结构，其中，所述第一凸起结构、所述第二凸起结构、所述第三凸起结构和所述第四凸起结构在所述硅衬底上的垂直投影交叠。
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百度查询： 武汉敏声新技术有限公司 一种薄膜体声波谐振器
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