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申请/专利权人：穆棱市北一半导体科技有限公司
摘要：一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，属于半导体芯片制造工艺技术领域。本发明解决了器件的didt能力受到了极大的限制的问题。技术要点：在N型漂移区的沟槽内制作栅极氧化层；采用化学气相沉积工艺，在N型漂移区上表面及栅极氧化层的表面沉积饱和掺杂多晶硅，在饱和掺杂多晶硅上沉积金属，在金属层上沉积第二饱和掺杂多晶硅层，将沟槽内部完全填满；多晶硅及金属层的回刻，形成底层多晶硅栅极+金属栅极+顶层多晶硅栅极；制作背面金属集电极、背面P+集电极、器件体区、器件发射极、介质层和正面金属发射极，完成器件结构制作。本发明大幅提升了器件对栅极电压的响应，进而提升了器件的开关速度，提升了didt能力。
主权项：1.一种IGBT器件的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1：在N型漂移区的沟槽内制作栅极氧化层；步骤2：采用化学气相沉积工艺，在N型漂移区上表面及栅极氧化层的表面沉积饱和掺杂多晶硅，形成第一饱和掺杂多晶硅层；步骤3：在饱和掺杂多晶硅上沉积金属，形成金属层；步骤4：在金属层上沉积第二饱和掺杂多晶硅层，将沟槽内部完全填满；步骤5：多晶硅及金属层的回刻，形成底层多晶硅栅极+金属栅极+顶层多晶硅栅极；步骤6：制作背面金属集电极、背面P+集电极、器件体区、器件发射极、介质层和正面金属发射极，完成器件结构制作。
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权利要求：
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