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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开一种耐质子辐照、被动式降温碳氮氧化硅薄膜的制备方法，以解决目前航天器铜铟镓硒薄膜太阳能电池于太空中因太阳辐照升温而降低电池光电转换效率以及因太空高能质子辐照而降低电池服役寿命的两个关键问题。本发明公开的碳氮氧化硅薄膜采用一步低温退火处理浸渍提拉涂覆于铜铟镓硒薄膜太阳能电池表面的聚硅氮烷薄膜而制备，方法简单且具有较大的产业化潜力。本发明制备的厚度为3.2μm碳氮氧化硅薄膜具有以下优势特性：红外辐射率0.72、向阳时电池最大降温30℃、耐质子辐照以及提升电池在轨服役寿命35％‑40％。
主权项：1.一种耐质子辐照、被动式降温碳氮氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；S1：商品化铜铟镓硒薄膜向阳面的预处理；S2：将有机聚硅氧烷前驱体与二正丁醚按照质量比1:x复合，在磁力搅拌作用下搅拌1小时混合制得有机聚硅氧烷前驱体浸渍提拉溶液；S3：将S2制备的提拉溶液作为提拉液，以S1预处理后的铜铟镓硒薄膜向阳面为涂膜基底，使用浸渍提拉液机于铜铟镓硒薄膜向阳面制备1-15微米厚度有机聚硅氧烷前驱体薄膜；S4：将S3制备的覆盖有机聚硅氧烷前驱体薄膜的铜铟镓硒薄膜电池置于一定的气氛下并在一定的温度下退火处理3-5小时，将机聚硅氧烷前驱体薄膜热分解转变为1-10微米厚度的碳氮氧化硅薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种耐质子辐照、被动式降温碳氮氧化硅薄膜的制备方法
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