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SiC MOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法 

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申请/专利权人:湖南大学

摘要:本发明公开了一种SiCMOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法,所述电路包括直流电源、杂散电感、SiCMOSFET管QM、耦合线圈以及SiCMOSFET并联模块;SiCMOSFET并联模块包括多条支路,每条支路包括依次串联的第一耦合电感、第二耦合电感和SiCMOSFET管Qi,第1条支路的第一耦合电感与最后一条支路的第二耦合电感负耦合,第i条支路的第一耦合电感与第i‑1条支路的第二耦合电感负耦合,第i条支路的第二耦合电感与第i+1条支路的第一耦合电感负耦合。本发明解决了并联的SiCMOSFET管电流不均的问题和开关振荡问题。

主权项:1.一种SiCMOSFET并联均流与振荡抑制电路,包括依次连接的直流电源、杂散电感、SiCMOSFET管QM、耦合线圈以及SiCMOSFET并联模块;其特征在于,所述SiCMOSFET并联模块包括并联的多条支路,每条支路包括依次串联的第一耦合电感、第二耦合电感和SiCMOSFET管Qi,且第1条支路的第一耦合电感与最后一条支路的第二耦合电感负耦合,第i条支路的第一耦合电感与第i-1条支路的第二耦合电感负耦合,第i条支路的第二耦合电感与第i+1条支路的第一耦合电感负耦合,i=2,3,…,n-1,n表示支路数量;每条支路中的第一耦合电感和第二耦合电感的电感值根据对应支路之间的电流差值来确定,以实现SiCMOSFET并联模块中各支路之间的电流均衡。

全文数据:

权利要求:

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