龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉大学
摘要：本申请涉及一种氮化物外延结构及其制备方法、发光芯片及显示设备。本申请涉及半导体技术领域，所述氮化物外延结构包括依次设置的：衬底；AlN层以及GaN层；所述AlN层包括自靠近所述衬底向远离所述衬底方向依次设置的AlN基础层、第一AlN层、第二AlN层及第三AlN层；所述第一AlN层的VIII比为300～400；所述第二AlN层包括多个在12000sccm的NH3通量及多个在480sccm的NH3通量下交替生长的AlN层；所述第三AlN层的VIII比为60～180。第二AlN层包括多个在12000sccmNH3通量及多个在480sccmNH3通量下交替生长的AlN层，利用交替VIII比生长AlN，可以在生长无裂纹AlN薄膜，得到高质量的AlN外延。交替VIII比生长的AlN结构可以改变位错生长行为，形成倾斜的位错，从而释放应力，减小了AlN生长过程中晶圆开裂的风险。
主权项：1.一种氮化物外延结构，其特征在于，包括依次设置的：衬底；AlN层，包括自靠近所述衬底向远离所述衬底方向依次设置的AlN基础层、第一AlN层、第二AlN层及第三AlN层；以及GaN层；其中，所述第一AlN层的VIII比为300～400；所述第二AlN层包括多个在12000的sccmNH3通量及多个在480的sccmNH3通量下交替生长的AlN层；所述第三AlN层的VIII比为60～180。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉大学 一种氮化物外延结构及其制备方法、发光芯片及显示设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号