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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种具有抑制垂直模跳上波导层的氮化镓基半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，所述上波导层包括从下至上依次设置的第一抑制垂直模跳上波导层、第二抑制垂直模跳上波导层和第三抑制垂直模跳上波导层，所述第一抑制垂直模跳上波导层、第二抑制垂直模跳上波导层和第三抑制垂直模跳上波导层中空穴迁移率、形变势、横向声速和价带有效态密度往上包覆层方向具有变化趋势。本发明能够抑制垂直模跳，同时，进一步抑制垂直方向的横跳，提升远场FFP图像质量。
主权项：1.一种具有抑制垂直模跳上波导层的氮化镓基半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，其特征在于，所述上波导层包括从下至上依次设置的第一抑制垂直模跳上波导层、第二抑制垂直模跳上波导层和第三抑制垂直模跳上波导层，所述第一抑制垂直模跳上波导层和第二抑制垂直模跳上波导层中空穴迁移率、形变势、横向声速和价带有效态密度往上包覆层方向具有变化趋势；所述第一抑制垂直模跳上波导层的空穴迁移率峰值位置往上包覆层方向的下降角度为α，所述第一抑制垂直模跳上波导层的形变势谷值位置往上包覆层方向的上升角度为β，所述第一抑制垂直模跳上波导层的横向声速谷值位置往上包覆层方向的上升角度为γ，所述第一抑制垂直模跳上波导层的价带有效态密度峰值位置往上包覆层方向的下降角度为θ，其中：15°≤γ≤θ≤β≤α≤90°，角度为沿曲线的切线倾斜角；所述第二抑制垂直模跳上波导层的空穴迁移率峰值位置往上包覆层方向的下降角度为σ，所述第二抑制垂直模跳上波导层的形变势谷值位置往上包覆层方向的上升角度为所述第二抑制垂直模跳上波导层的横向声速谷值位置往上包覆层方向的上升角度为ψ，所述第二抑制垂直模跳上波导层的价带有效态密度峰值位置往上包覆层方向的下降角度为μ，其中：
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百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有抑制垂直模跳上波导层的氮化镓基半导体激光元件
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