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申请/专利权人：湖北大学
摘要：本发明公开了一种基于In2Se3Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
主权项：1.一种基于In2Se3Ga2O3异质结结构的两端MSM日盲型紫外光电探测器，其特征在于：所述探测器包括衬底、In2Se3Ga2O3异质结结构和两端金属电极，所述两端金属电极分别位于Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜上，且分别与Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜接触，异质结结区位于两电极之间；所述Ga2O3薄膜的尺寸为4英寸；所述In2Se3薄膜的尺寸为0.5英寸；所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的厚度为10-100nm；所述Ga2O3薄膜采用ALD生长，然后进行热处理后获得；所述热处理具体是将ALD生长获得的氧化镓薄膜从室温升温至400℃下退火2h，然后降温至室温即可；所述In2Se3薄膜通过化学气相沉积法CVD生长获得。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北大学 基于In2Se3/Ga2O3异质结结构的两端MSM日盲型紫外光电探测器
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