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申请/专利权人：甬矽半导体(宁波)有限公司
摘要：本发明提供了一种重新分布互连转接封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该重新分布互连转接封装结构包括衬底、导电层、第一芯片、封装介质层、堆叠布线组合层和基底布线组合层，衬底中设置有第一导电柱；导电层设置在第二表面；第一芯片设置在衬底的中部；封装介质层设置在第二表面，封装介质层中设置有第二导电柱，堆叠布线组合层设置在封装介质层远离衬底的一侧；基底布线组合层设置在第一表面。相较于现有技术，本发明实施例提供的重新分布互连转接封装结构及其制备方法，能够提升整体结构强度和内部结合力，并解决结构内部应力问题，减缓应力导致翘曲现象。
主权项：1.一种重新分布互连转接封装结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述衬底中设置有第一导电柱，所述第一导电柱的一端外露于第一表面，另一端穿出所述第二表面，并相对所述第二表面凸起设置；导电层，所述导电层设置在所述第二表面，并覆盖所述第一导电柱；第一芯片，所述第一芯片设置在所述衬底的中部；封装介质层，所述封装介质层设置在所述第二表面，并包覆于所述导电层和所述第一芯片，所述封装介质层中设置有第二导电柱，所述第二导电柱的一端与所述导电层连接，另一端外露于所述封装介质层远离所述衬底的一侧表面，所述第一导电柱穿过所述封装介质层，并外露于所述封装介质层远离所述衬底的一侧表面；堆叠布线组合层，所述堆叠布线组合层设置在所述封装介质层远离所述衬底的一侧，并与所述第一导电柱连接；基底布线组合层，所述基底布线组合层设置在所述第一表面，并与所述第一导电柱连接；其中，所述第一芯片与所述堆叠布线组合层或所述基底布线组合层连接。
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