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申请/专利权人：浙江德汇电子陶瓷有限公司;绍兴德汇半导体材料有限公司

摘要：本发明公开了一种陶瓷覆铜板选择性粗化方法，包括下述制备步骤：S1在陶瓷与铜泊之间印刷一层活性钎焊料；S2制备陶瓷覆铜板；S3将烧结完成的陶瓷覆铜板进行铜蚀刻；S4去除不需的钎焊层；S5将图形化后的陶瓷覆铜板按工序清洗、清洗、粗化、清洗、酸洗、清洗、浸渍、干燥，并通过纳米硅及有机硅烷的填充；S6印刷热固湿膜，露出待表面处理区域；S7去除表面粗化结构；S8最后将的陶瓷覆铜板进过镀镍、化学沉银，再进行退膜形成最终的结构。本发明对比现有技术，具有下述有益效果：有效避免因为粗化表面窝状导致焊接空洞问题，表面焊接性好，同时焊接区凹面结构有效防止焊接过程焊料外溢，减少化银镀层微孔洞。

主权项：1.一种陶瓷覆铜板选择性粗化方法，其特征在于，包括下述制备步骤：S1在陶瓷与铜泊之间印刷一层活性钎焊料；S2将印有钎焊料层的陶瓷基板与铜泊箔在烧结温度为800℃～1000℃的条件下绕结外理，形成陶瓷覆铜板。S3将烧结完成的陶瓷覆铜板贴合或涂布一层抗蚀层，再通过曝光与显影，把需要的铜层保护，不需的铜层露出形成特定的蚀刻图形，置于CuCl2体系或FeCl3蚀刻液中完成铜蚀刻；S4将铜蚀刻完的陶瓷覆铜板置及钎焊层蚀刻液中，去除不需的钎焊层；S5将图形化后的陶瓷覆铜板按工序清洗、清洗、用粗化液进行粗化、清洗、酸洗、清洗、用浸渍液进行浸渍、干燥，形成表面窝状结构面4，并通过纳米硅及有机硅烷的填充，涂层完全渗入粗糙表面的凹隙和微孔中，增强锚固提升树脂结合力，表面粗糙度Sa大于0.2um，Sdr大于0.15；S6将完成粗化的陶瓷覆铜板粗化面4上印刷热固湿膜5，形成如图C结构，露出待表面处理区域；S7掩膜完成后将陶瓷覆铜板置于化学研磨处理液中，去除表面粗化结构，降低表面粗糙度，形成凹面结构，凹面深度2-18um；S8最后将的陶瓷覆铜板进过镀镍、化学沉银，再进行退膜形成最终的结构或研磨后通过定位孔二次印刷掩膜方式覆盖非镀覆区域，再进行镀覆处理及退膜最终形成裸铜及镀镍、银表面处理复合形式。

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