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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆中形成有若干隔离结构，所述第一晶圆表面还形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属层；第二晶圆，所述第二晶圆表面形成有第二介质层，所述第一晶圆和第二晶圆通过所述第一介质层和第二介质层键合；穿硅通孔，位于所述第一晶圆和第一介质层中暴露所述金属层，所述穿硅通孔包括位于所述第一晶圆中暴露部分所述隔离结构的第一通孔以及位于所述若干隔离结构之间暴露所述金属层的第二通孔，所述部分隔离结构及所述部分隔离结构下方的部分第一介质层对所述金属层提供压应力。本申请的技术方案可以提高器件电学性能以及器件可靠性。
主权项：1.一种晶圆键合结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一面和第二面，靠近所述第一面的第一晶圆中形成有若干隔离结构，所述第一面还形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属层；提供第二晶圆，所述第二晶圆表面形成有第二介质层；通过所述第一介质层和第二介质层键合所述第一晶圆和第二晶圆；刻蚀所述第一晶圆的第二面至所述金属层形成穿硅通孔，其中，所述穿硅通孔包括位于所述第一晶圆中暴露部分所述隔离结构的第一通孔以及位于所述若干隔离结构之间暴露所述金属层的第二通孔，所述部分隔离结构及所述部分隔离结构下方的部分第一介质层对所述金属层提供压应力；在所述穿硅通孔中填充导电材料形成导电通孔结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆键合结构及其形成方法
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