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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
摘要：本公开涉及一种用于外延生长设备的支撑结构、外延生长设备及外延晶圆。用于外延生长设备的支撑结构包括多个第一支撑臂，多个第一支撑臂用于从外延生长设备的用于在其上支承晶圆的基座的下方支撑基座；以及多个第二支撑臂，多个第二支撑臂能够在竖向方向上移动并用于从晶圆的下方支撑晶圆，多个第二支撑臂设置在多个第一支撑臂的上方并与多个第一支撑臂在竖向方向上对应，并且第二支撑臂能够移动成在第二支撑臂的整个纵向长度上与对应的第一支撑臂接触。通过本公开的用于外延生长设备的支撑结构及外延生长设备，能够改善晶圆在整体上的受热均匀性，并能够提升外延晶圆的电阻率均一性。
主权项：1.一种用于外延生长设备的支撑结构，其特征在于，包括：多个第一支撑臂，所述多个第一支撑臂用于从所述外延生长设备的用于在其上支承晶圆的基座的下方支撑所述基座；以及多个第二支撑臂，所述多个第二支撑臂能够在竖向方向上移动并用于从所述晶圆的下方支撑所述晶圆，所述多个第二支撑臂设置在所述多个第一支撑臂的上方并与所述多个第一支撑臂在竖向方向上对应，并且所述第二支撑臂能够移动成在所述第二支撑臂的整个纵向长度上与对应的所述第一支撑臂接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安奕斯伟硅片技术有限公司 用于外延生长设备的支撑结构、外延生长设备及外延晶圆
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