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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本申请提供一种数字隔离器及其制备方法、集成器件，其中在数字隔离器的制备方法中，使用制备逻辑电路区的中间金属层用到的铜金属层充当隔离区的数字隔离器的金属下极板，即，使用铜金属层替代传统铜制程工艺中的TiN层下极板，在制备逻辑电路区的中间金属层的同时，利用形成有隔离区下极板图形的光罩刻蚀铜金属层得到数字隔离器的金属下极板，提高了芯片整体集成度，避免了传统铜制程工艺制备数字隔离器过程中，因制备TiN层下极板额外增加多个步骤导致工艺步骤繁琐以及成本增加的情况，简化了制造工艺，降低了制造成本。

主权项：1.一种数字隔离器的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：提供一半导体结构，所述半导体结构包含多个逻辑电路区和多个隔离区，各所述隔离区分别位于相邻两个逻辑电路区之间以隔离不同的逻辑电路区，所述逻辑电路区包括：主器件结构；所述隔离区至少包括：衬底、位于所述衬底上的第一至第m阻挡层和第一至第m绝缘层，其中，第j阻挡层和第j绝缘层依次交错堆叠；其中，所述逻辑电路区的主器件结构表面也覆盖有所述第m绝缘层；其中，1≤j≤m，m≥2；步骤2：形成铜金属层，所述铜金属层覆盖所述逻辑电路区的所述第m绝缘层和所述隔离区的所述第m绝缘层；步骤3：在所述铜金属层上涂覆光刻胶层；步骤4：通过曝光、显影工艺，在所述光刻胶层上定义逻辑电路区图形和隔离区图形，以得到图案化的光刻胶层；步骤5：以图案化的光刻胶层为掩模，刻蚀所述铜金属层，以在所述逻辑电路区形成中间金属层，以及在所述隔离区形成金属下极板；步骤6：形成第m+1绝缘层，所述第m+1绝缘层覆盖所述逻辑电路区的中间金属层和所述隔离区的金属下极板；步骤7：研磨去除超出所述中间金属层上表面以及所述金属下极板上表面的所述第m+1绝缘层；步骤8：在所述第m+1绝缘层上形成组合绝缘层，并刻蚀所述组合绝缘层以在所述逻辑电路区和所述隔离区分别得到多个通孔，其中，所述逻辑电路区的通孔露出所述中间金属层，所述隔离区的通孔露出所述金属下极板；步骤9：在逻辑电路区的通孔中填充铜金属材料，以得到逻辑电路区导电插塞，以及在所述隔离区的通孔中填充铜金属材料，以得到隔离区导电插塞；步骤10：形成图案化的金属层，所述图案化的金属层至少覆盖所述逻辑电路区导电插塞和所述隔离区导电插塞，其中，所述隔离区的图案化的金属层分别用作金属上极板、所述金属下极板的引出金属层，所述逻辑电路区的图案化的金属层用作顶层金属层。

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