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申请/专利权人：美新半导体(无锡)有限公司;美新半导体(绍兴)有限公司
摘要：本发明提供一种三轴霍尔磁传感器，其包括：衬底；形成于衬底上的掺杂阱，其中所述掺杂阱包括沿第一方向延伸的第一掺杂条以及沿与第一方向垂直的第二方向延伸且与第一掺杂条垂直相交的第二掺杂条；形成于第一掺杂条和第二掺杂条交接处的第一电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极一侧的第二电极和第三电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极另一侧的第四电极和第五电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极一侧的第六电极和第七电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极另一侧的第八电极和第九电极。这样，可以通过单个霍尔器件实现三轴磁场的探测。
主权项：1.一种三轴霍尔磁传感器，其特征在于，其包括：衬底；形成于衬底上的掺杂阱，其中所述掺杂阱包括沿第一方向延伸的第一掺杂条以及沿与第一方向垂直的第二方向延伸且与第一掺杂条垂直相交的第二掺杂条；形成于第一掺杂条和第二掺杂条交接处的第一电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极一侧的第二电极和第三电极，其中第二电极和第三电极沿第一方向相互间隔，第三电极较第二电极更靠近第一电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极另一侧的第四电极和第五电极，其中第四电极和第五电极沿第一方向相互间隔，第四电极较第五电极更靠近第一电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极一侧的第六电极和第七电极，其中第六电极和第七电极沿第二方向相互间隔，第七电极较第六电极更靠近第一电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极另一侧的第八电极和第九电极，其中第八电极和第九电极沿第二方向相互间隔，第八电极较第九电极更靠近第一电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美新半导体(无锡)有限公司 美新半导体(绍兴)有限公司 三轴霍尔磁传感器
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