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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
摘要：本发明公开了一种宇航级集成电路总剂量屏蔽方法及抗辐照加固效果验证方法，属于集成电路技术领域。该方法包括以下步骤：1组装工艺设计，针对加固设计中最核心的耐受温度，开展芯片选型和粘片、键合、密封工艺设计；2外壳设计，从外形尺寸和外壳结构等方面开展总剂量屏蔽设计；3试验验证，对屏蔽加固后的电路进行可靠性试验和抗辐照试验，必要时重新优化外壳设计方案。本发明提出的集成电路总剂量屏蔽方法和抗辐照加固效果验证方法，通过这种方法可以优化屏蔽效果，达到宇航级器件的。
主权项：1.一种宇航级集成电路总剂量屏蔽方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：（1）组装工艺设计：针对集成电路芯片抗辐照加固设计中最核心的耐受温度，对芯片选型、粘片、键合和密封工艺进行设计，使集成电路组装过程中能够耐受300℃温度；（2）封装外壳设计：从封装外壳结构和外形尺寸进行总剂量屏蔽设计；步骤（1）组装工艺设计包括如下步骤（1a）-（1d）：（1a）芯片选择：对所使用的芯片进行耐温测试：首先对裸芯片进行晶圆测试，通过测试后，说明晶圆上的裸芯片电性能是良好的；然后，对晶圆进行高温烘焙，高温烘焙的条件是300℃烘焙1小时；高温烘焙之后，再对晶圆进行电性能测试，如果电性能良好，则可以选择该芯片，否则必须更换芯片；（1b）粘片工艺：芯片与外壳焊接时应选择高温合金为焊接材料进行焊接，或者选择耐受温度在300℃以上的高温胶以粘合方式焊接芯片；（1c）键合工艺：键合时选用铝丝作为键合丝；（1d）密封工艺：选择平行缝焊密封工艺完成盖板和管壳之间的密封。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十七研究所 一种宇航级集成电路总剂量屏蔽方法及抗辐照加固效果验证方法
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