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申请/专利权人：华天科技(昆山)电子有限公司
摘要：本发明公开一种高散热的扇出型封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：准备一硅片，制作金属散热层，随后刻蚀金属散热层，只保留预埋芯片底部的金属散热层，金属散热层上形成多个缺口；将芯片的功能面朝上按照一定的排列方式贴合到带有金属散热层的硅片上；将芯片四周和表面用膜材包覆，露出芯片pad金属层；通过重布线的方式将信号引出到印刷锡膏或锡焊球上；同晶圆级封装，分离成单颗芯片。本发明可实现扇出面积小的封装，也可实现埋入芯片厚度大的封装，无硅基刻蚀制程，且无临时键合制程，缩短加工周期，成本降低，良率和翘曲更可控，同时可满足大功率芯片的高散热需求，可避免金属氧化腐蚀问题蚀以及影响切割崩缺的问题，可靠性高。
主权项：1.一种高散热的扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：1准备一片普通硅片，制作金属散热层，随后刻蚀金属散热层，只保留预埋芯片底部的金属散热层，金属散热层上形成多个缺口；2将芯片的功能面朝上按照一定的排列方式贴合到带有金属散热层的硅片上；3将芯片四周和表面用膜材包覆，露出芯片pad金属层；4通过重布线的方式将信号引出到印刷锡膏或锡焊球上；5同晶圆级封装，分离成单颗芯片；步骤1中，所述金属散热层采用磁控溅射或蒸镀方式制成，所述金属散热层的厚度为5-20μm；步骤1中，所述缺口通过光刻或湿法刻蚀金属散热层的方式制成，所述缺口的宽度不小于100μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华天科技(昆山)电子有限公司 一种高散热的扇出型封装方法及封装结构
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