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申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明的一种具有GaNAlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管，包括由下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层和电子阻挡层；在电子阻挡层上表面设置有依次排列的GaN沟道层、p‑GaN通道区、n‑GaN漂移区、p+‑GaN集电区；在所述GaN沟道层上表面设置有Alx1Ga1‑x1N势垒层；在所述p‑GaN通道区和n‑GaN漂移区上表面设置绝缘层；在p+‑GaN集电区上表面设置有阳极。在Alx1Ga1‑x1N势垒层上表面设置阴极，在所述绝缘层上设置栅极，栅极所在区域与p‑GaN通道区相对应。本发明的绝缘栅双极型晶体管高频响应特性更优，可彻底消除存在于传统IGBT中的闩锁效应。
主权项：1.一种具有GaNAlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层和电子阻挡层；在电子阻挡层上表面设置有依次排列的GaN沟道层、p-GaN通道区、n-GaN漂移区、p+-GaN集电区；在所述GaN沟道层上表面设置有Alx1Ga1-x1N势垒层；在所述p-GaN通道区和n-GaN漂移区上表面设置绝缘层；在所述p+-GaN集电区上表面设置有阳极；在所述Alx1Ga1-x1N势垒层上表面设置阴极，在所述绝缘层上设置栅极，栅极所在区域与p-GaN通道区相对应；所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、氧化锌中的任何一种；所述成核层为低温或高温外延生长的氮化铝、氮化镓、铝镓氮中的任何一种，厚度为10-100nm；所述缓冲层为高温外延生长的氮化铝、氮化镓、铝镓氮中的任何一种，厚度为50-2000nm；所述电子阻挡层为高Al组分的Alx2Ga1-x2N，厚度为10-50nm，其中0.5x21；阴极与Alx1Ga1-x1N势垒层、阳极与p+-GaN集电区分别形成欧姆接触；栅极、绝缘层和p-GaN通道区共同形成绝缘栅结构，且所述栅极的长度大于等于所述p-GaN通道区的长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管
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