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高压电常数、低强场介电损耗压电陶瓷及制备方法 

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申请/专利权人:贵州振华红云电子有限公司

摘要:本发明公开了一种压电陶瓷及制备方法,旨在提供一种高压电常数、低强场介电损耗压电陶瓷及其制备方法。本发明压电陶瓷结构通式为:PbZrzTi1‑zxCo13Nb23yMn13Nb231‑x‑yO3+nwt%A,x=0.85~0.95、y=0.01~0.06、z=0.45~0.55、n=0.1~1,A为改性元素的氧化物,所述改性元素为Mg、Al、Yb中的一种或几种。本发明方法是:将Pb3O4、ZrO2、TiO2、Co2O3、Nb2O5、MnO2和改性元素氧化物A按化学比例称量,加水球磨、烘干得一次磨料;预烧一次磨料;预烧料再次球磨、烘干,得陶瓷粉料;将所述陶瓷粉料与聚乙烯醇混合均匀、造粒、压片成型,得瓷坯;烧结该瓷坯得瓷片;瓷片被银;该被银陶瓷片极化处理。本发明压电陶瓷完全能够满足超声焊接和超声探伤换能器对压电陶瓷的性能要求。

主权项:1.一种高压电常数、低强场介电损耗压电陶瓷,其特征在于该压电陶瓷的结构通式为:PbZrzTi1-zxCo13Nb23yMn13Nb231-x-yO3+nwt%A,x=0.85~0.95、y=0.01~0.06、z=0.45~0.55、n=0.1~1,A为改性元素的氧化物,所述改性元素为Mg、Al、Yb中的一种或几种。

全文数据:

权利要求:

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