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申请/专利权人：华东师范大学

摘要：本发明公开了一种二硒化钨二维射频开关及其制备方法，所述射频开关以二硒化钨作为射频信号切换功能层，实现超快响应速度、低传输损耗、紧凑尺寸和高集成性。制备过程如下：首先，利用热蒸发镀膜仪在高阻SiSiO2衬底上蒸镀金电极；其次，通过机械剥离法使用机械剥离专用蓝胶带从二硒化钨块状晶体上剥离出纳米层状二硒化钨并将其转移到金电极上；最后，利用热蒸发镀膜仪在二硒化钨上方蒸镀银电极，由此制备所述的二硒化钨二维射频开关。本发明所用材料安全环保，成本低廉，所制备的二硒化钨二维射频开关展现出优异的射频性能，包括超快切换速度、低传输损耗，适用于高性能射频领域。

主权项：1.一种二硒化钨二维射频开关的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：制备底电极层A1：清洗衬底选择高阻SiSiO2衬底，将衬底依次放在丙酮、异丙醇和去离子水中，超声清洗30分钟，用氮气枪将衬底表面吹干备用；A2：图案化底电极将步骤A1中清洗后的衬底固定在旋涂机上，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶，随后利用控温加热台在120-150°C下加热3-5分钟使光刻胶固化，再利用电子束曝光系统进行图案化曝光，随后显影定影获得图案化的底电极；A3：蒸镀底电极层将步骤A2中图案化的底电极衬底固定在热蒸发镀膜仪的衬底盘上，在热蒸发镀膜仪腔室的钨舟中放入金颗粒，依次打开机械泵和分子泵将腔体抽真空至3´10-4Pa，且加电流升温至金的熔点后，蒸镀100-150nm厚的金膜，随后通过丙酮加热去胶并吹干衬底，至此完成底电极层的制备；步骤2：制备二硒化钨二维材料功能层B1：机械剥离二硒化钨二维材料层首先，利用机械剥离专用蓝胶带从二硒化钨块状晶体上剥离出纳米层状二硒化钨，并且通过将蓝胶带多次对叠展开的过程实现对纳米层状二硒化钨进行多次减薄；其次，利用聚二甲基硅氧烷胶膜将纳米层状二硒化钨从蓝胶带上取下并对其再次减薄，并粘贴在干净的载玻片一角；然后，将其放在光学显微镜下进行观察，选取厚度为10-15nm，半透明且质地均匀的纳米层状二硒化钨作为目标材料；最后，用刀片切去载玻片上多余的聚二甲基硅氧烷胶膜后作为备用；B2：转移二硒化钨二维材料层首先，将步骤A3中图案化的底电极衬底置于二维材料转移系统上的载物台上，并通过机械泵抽真空吸附固定；其次，将步骤B1中备用的载玻片固定于载物台上，再通过调节二维材料转移系统的Z轴旋钮，将载玻片上的聚二甲基硅氧烷胶膜和衬底完全重合再通过调节Z轴旋钮使其缓慢上移，直至二者完全分离并转移成功，至此完成二维材料层的转移，制得二硒化钨二维材料功能层；步骤3：制备顶电极层C1：图案化顶电极将步骤B2中转移有二硒化钨二维材料层的衬底固定在旋涂机上，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶，随后利用控温加热台在120-150°C下加热3-5分钟使光刻胶固化，再利用电子束曝光系统进行图案化曝光，随后显影定影获得图案化的顶电极；C2：蒸镀顶电极层将步骤C1中图案化的顶电极衬底固定在热蒸发镀膜仪的衬底盘上，在热蒸发镀膜仪腔室的钨舟中放银颗粒，依次打开机械泵和分子泵将腔体抽真空至3´10-4Pa，且加电流升温至银的熔点后，蒸镀100-200nm厚的银膜，随后通过丙酮加热去胶并吹干衬底，制得所述二硒化钨二维射频开关。

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百度查询： 华东师范大学 一种二硒化钨二维射频开关及其制备方法