Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种绝缘体上锗短波红外图像传感器及其制造方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

摘要:本申请属于半导体工艺技术领域,公开了一种绝缘体上锗短波红外图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括:读出电路、钝化层、N型电极和P型电极,以及依次叠加的第二硅衬底、热氧层、氧化铝层、P型重掺杂锗层、本征锗传感层、P型电荷层、本征锗量子阱层、本征锗层和N型重掺杂锗层,以及多个形状相同并以预设间隔分布的矩形凹槽;P型电荷层的长度小于预设间隔,数量大于0且小于矩形凹槽的数量减1;N型电极穿过钝化层连接P型重掺杂锗层;P型电极穿过钝化层连接N型重掺杂锗层;各N型电极和各P型电极均与读出电路连接。本申请能够同时处理强光信号和弱光信号,拓展了图像传感器的动态响应范围,使其能够适应更广泛的应用场景。

主权项:1.一种绝缘体上锗短波红外图像传感器,其特征在于,包括:读出电路、钝化层、N型电极和P型电极,以及依次叠加的第二硅衬底、热氧层、氧化铝层、P型重掺杂锗层、本征锗传感层、P型电荷层、本征锗量子阱层、本征锗层和N型重掺杂锗层,以及多个形状相同并以预设间隔分布的矩形凹槽;所述矩形凹槽贯穿所述N型重掺杂锗层、所述本征锗层、所述本征锗量子阱层和所述本征锗传感层;所述钝化层叠加在所述N型重掺杂锗层和各所述矩形凹槽的内壁上;所述P型电荷层的长度小于所述预设间隔,数量大于0且小于所述矩形凹槽的数量减1;所述N型电极设于所述矩形凹槽的底部,穿过所述钝化层连接所述P型重掺杂锗层;所述P型电极穿过所述钝化层连接所述N型重掺杂锗层;各所述N型电极和各所述P型电极均与读出电路连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 一种绝缘体上锗短波红外图像传感器及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。