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申请/专利权人：复旦大学;嘉善复旦研究院
摘要：本发明公开了一种基于ALD技术的三维堆叠灵活读取的2T0CDRAM制造方法，涉及计算机制造领域。本发明采用三维堆叠的读写晶体管几何布局，设计读取晶体管背栅或者双栅的结构；背栅基础上制作顶栅和双栅结构器件，提高读晶体管性能，实现灵活读取，并与其他器件更方便互联。本发明提高了2T0CDRAM的存储性能，减少工艺复杂度，提高工艺稳定性；拓宽2T0CDRAM应用范围，为2T0CDRAM的其他应用奠定基础。
主权项：1.一种基于ALD技术的三维堆叠灵活读取的2T0CDRAM制造方法，其特征在于，读晶体管三维堆叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 嘉善复旦研究院 一种基于ALD技术的三维堆叠灵活读取的2T0C DRAM制造方法
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