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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种应力迁移测试结构及应力迁移测试方法，所述应力迁移测试结构包括至少一个测试结构，所述测试结构包括：下层通孔连接层；上层通孔连接层，位于所述下层通孔连接层的上方；导电插塞，所述导电插塞的底部和顶部分别与所述下层通孔连接层和所述上层通孔连接层连接，所述下层通孔连接层的线宽大于所述上层通孔连接层的线宽；下层电压测试焊盘和下层电流测试焊盘，分别与所述下层通孔连接层的两端连接；上层电压测试焊盘和上层电流测试焊盘，分别与所述上层通孔连接层的两端连接。本发明的技术方案能够同时测试出导电插塞底部的下层通孔连接层中以及导电插塞中的应力迁移失效，进而使得对可靠性的评估更加完整。
主权项：1.一种应力迁移测试结构，其特征在于，包括至少两个测试结构，所述测试结构包括：下层通孔连接层；上层通孔连接层，位于所述下层通孔连接层的上方；导电插塞，所述导电插塞的底部和顶部分别与所述下层通孔连接层和所述上层通孔连接层连接，所述下层通孔连接层的线宽大于所述上层通孔连接层的线宽；下层电压测试焊盘和下层电流测试焊盘，分别与所述下层通孔连接层的两端连接；上层电压测试焊盘和上层电流测试焊盘，分别与所述上层通孔连接层的两端连接；其中，所有的所述下层通孔连接层的延伸方向相同，至少两个所述上层通孔连接层的延伸方向不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 应力迁移测试结构及应力迁移测试方法
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