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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：有源区，限定在基底中；至少一个沟道层，在有源区上；栅电极，与有源区交叉，在有源区上，并围绕所述至少一个沟道层；以及成对的源极漏极区，与栅电极的两侧相邻，在有源区上，并与所述至少一个沟道层接触，其中，成对的源极漏极区包括选择性外延生长SEG层，以及成对的源极漏极区中的每个在第一方向上的最大宽度是有源区在第一方向上的宽度的1.3倍或者更小。
主权项：1.一种半导体器件，包括：有源区，限定在基底中；至少一个沟道层，在所述有源区上；栅电极，与所述有源区交叉，在所述有源区上，并围绕所述至少一个沟道层；以及成对的源极漏极区，与所述栅电极的两侧相邻，在所述有源区上，并与所述有源区的顶表面和所述至少一个沟道层的侧表面接触，其中：所述成对的源极漏极区中的每个包括第一选择性外延生长层、在所述第一选择性外延生长层上的第二选择性外延生长层和在所述第二选择性外延生长层上的第三选择性外延生长层，所述第一选择性外延生长层覆盖所述有源区的所述顶表面和所述至少一个沟道层的所述侧表面，并且所述成对的源极漏极区中的每个在所述栅电极延伸所沿的第一方向上的最大宽度是所述有源区在所述第一方向上的宽度的1至1.3倍。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括源极/漏极区的半导体器件
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