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申请/专利权人：江苏森标科技有限公司

摘要：本发明提供的无损方阻及绒面测量装置，属于半导体检测技术领域，包括激光发射器、反射率检测片、电容线圈组、第一放大器板和采样测量装置；激光发射器发射激光至半导体上产生光电压；电容线圈组接收光电压产生的静电荷；反射率检测片接收半导体反射的激光，将光信号转换为电信号；第一放大器板接收静电荷和电信号，并进行预处理得到第一中间数据和反射率检测片接收功率；采样测量装置接收第一中间数据和反射率检测片接收功率，并计算得到待测半导体的方阻值和绒面反射率。本发明在不损伤半导体绒面进行方阻测量的同时实时对绒面反射率进行检测，既规避了现有的方阻测量给绒面带来的损伤，也能实时在线检测绒面的质量，提高了半导体质量检测效率。

主权项：1.无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，包括：传感装置和采样测量装置；所述传感装置包括激光发射器、反射率检测片、电容线圈组和第一放大器板；所述激光发射器用于发射激光至待测半导体上产生光电压；所述电容线圈组用于接收待测半导体表面光电压产生的静电荷；所述反射率检测片用于接收待测半导体反射的激光，将光信号转换为电信号；所述第一放大器板用于接收所述静电荷和所述电信号，分别对所述静电荷和所述电信号进行预处理得到第一中间数据和反射率检测片接收功率；所述采样测量装置用于接收所述第一中间数据和所述反射率检测片接收功率，并分别对所述第一中间数据和所述反射率检测片接收功率进行计算得到待测半导体的方阻值和绒面反射率；所述采样测量装置测量待测半导体的绒面反射率的方法为：获取所述激光发射器的发射功率p，并引入绒面标定系数对所述反射率检测片接收功率p1进行修正，得到绒面反射率λ＝k1×p1+b1p；其中，k1为反射率检测片通过测量已知反射率的标准电池片得到的耗散因子；b1为反射率检测片通过测量已知反射率的标准电池片得到的耗散常数；所述采样测量装置测量待测半导体的方阻值Rs1的方法为：Rs1＝Rs×V11-V21V1-V2×K+B其中，Rs为已知标定电池片的方阻；V11为待测半导体的第一电压；V21为待测半导体的第二电压；V1为标定半导体的第一电压；V2为标定半导体的第二电压；K和B均为方阻标定系数；测量装置还包括优化模块，所述优化模块用于进行方阻值与绒面反射率测量的参数校准；所述优化模块包括：功率检测装置、测距装置和控制器；所述控制器电性连接所述功率检测装置、所述激光发射器、所述测距装置和处理器；所述功率检测装置电性连接所述激光发射器；所述功率检测装置用于检测所述激光发射器的功率并发送功率数据至所述控制器；所述测距装置用于检测所述激光发射器的激光头到半导体表面的距离并发送距离数据至所述控制器；所述控制器用于检测到所述激光发射器的功率数据发生衰减后调节所述激光发射器的功率；所述控制器还用于通过所述距离数据实时将距离因子补偿到所述处理器中的方阻值测量因子与绒面反射率测量因子中。

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