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申请/专利权人：中茵微电子(南京)有限公司

摘要：本发明涉及一种高速LPDDR电路设计的功耗优化方法及系统，属于芯片设计管理技术领域，获取高速LPDDR电路分布模型图中的异常传输电路，并构建气泡图分析异常电路处于信号传输速率下对应的实际运行温度值，得到待优化的功耗异常电路；基于实际波形干扰失真率调整待优化的功耗异常电路与邻近信号电路之间的间距，并获取相应的干扰屏蔽技术进行应用，以降低串扰优化功耗；通过获取制造工艺变化下存储器访问待优化的功耗异常电路的访问冲突率以计算出校准后的时钟缓冲器，并基于校准后的时钟缓冲器优化时钟路径。本发明能够对高速LPDDR电路设计过程中的功耗进行精准高效的优化，提升高速LPDDR电路的运行速率和稳定性。

主权项：1.一种高速LPDDR电路设计的功耗优化方法，其特征在于，包括以下步骤：获取高速LPDDR电路分布模型图，基于高速LPDDR电路分布模型图标记出异常传输电路，并构建气泡图对异常传输电路处于信号传输速率下对应的实际运行温度值进行分析，得到待优化的功耗异常电路；通过示波器获取待优化的功耗异常电路的实际信号接收波形，并计算出实际波形干扰失真率，基于实际波形干扰失真率调整待优化的功耗异常电路与邻近信号电路之间的间距，并获取相应的干扰屏蔽技术进行应用，以降低串扰优化功耗；对工作频率提升后所述待优化的功耗异常电路的制造工艺进行分析，以获取控制存储器访问待优化的功耗异常电路的访问冲突率，基于访问冲突率计算出校准后的时钟缓冲器，并通过校准后的时钟缓冲器优化时钟路径，并对待优化的功耗异常电路的电源安装点位进行重新布局，生成最佳高速LPDDR电路布局方案；构建曲线图分析高速LPDDR电路的温度变化，得到温度变化偏差幅度，引入马尔科夫链计算温度变化偏差幅度导致高速LPDDR电路故障的概率，并基于概率偏差值调整高速LPDDR电路的运行性能，以提升电路稳定性进而优化功耗；其中，获取高速LPDDR电路分布模型图，基于高速LPDDR电路分布模型图标记出异常传输电路，并构建气泡图对异常传输电路处于信号传输速率下对应的实际运行温度值进行分析，得到待优化的功耗异常电路，具体包括以下步骤：获取高速LPDDR电路的内部电路图像信息，并基于所述内部电路图像信息提取出内部电路分布特征，根据所述内部电路分布特征构建出高速LPDDR电路分布模型图；获取高速LPDDR电路的连接节点数量，基于所述连接节点数量将高速LPDDR电路分布模型图划分为若干个子分布模型图，获取各子分布模型图中传输电路在预设时间节点的信号传输速率，并根据多个信号传输速率在高速LPDDR电路分布模型图中只标记出大于预设信号传输速率的传输电路，定义为异常传输电路；构建气泡图，同时获取所述异常传输电路处于信号传输速率下对应的实际运行温度值，将所述各子分布模型图中传输电路在预设时间节点的信号传输速率和异常传输电路处于信号传输速率下对应的实际运行温度值导入气泡图中进行拟合，拟合完成后，获取各子分布模型图的气泡体积值；判断各子分布模型图的气泡体积值是否大于预设气泡体积值，若大于，则提取出大于预设气泡体积值对应的子分布模型图中的传输电路，定义为过载状态传输电路；获取过载状态传输电路在预设时间段内的传输功耗变化率，预设欧氏距离阈值，计算传输功耗变化率与预设功耗变化率之间的欧氏距离，将小于预设欧氏距离阈值的欧氏距离所对应的过载状态传输电路进行标记，得到待优化的功耗异常电路。

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