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申请/专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种基于沟道耗尽浅P阱的快关断SJ‑IGBT器件，包括外延层，所述外延层中周期性排布有P柱和N柱，所述N柱的上方设置有P型基区，所述P柱包括第一P柱和第二P柱，所述第一P柱的上端通过浅P阱与P型基区连接，所述浅P阱的上方设置有第一栅电极。本实用新型中，在SJ‑IGBT器件开启时通过第一栅电极的栅压使浅P阱耗尽，阻断第一P柱对空穴的抽取，并抑制空穴流向第一P柱顶端，增加N‑漂移区的载流子注入浓度，提高器件电流密度，降低器件导通损耗；在SJ‑IGBT器件断开时浅P阱会恢复，从而使空穴抽取通道打开，通过第一P柱对空穴的抽取加快SJ‑IGBT器件的关断速度；结构简单，实用性强。
主权项：1.一种基于沟道耗尽浅P阱的快关断SJ-IGBT器件，其特征在于：包括外延层，所述外延层中周期性排布有P柱和N柱，所述N柱的上方设置有P型基区，所述P柱包括第一P柱和第二P柱，所述第一P柱的上端通过浅P阱与P型基区连接，所述浅P阱的上方设置有第一栅电极，所述第一栅电极与外延层之间设置有第一栅氧层。
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权利要求：
百度查询： 重庆万国半导体科技有限公司 一种基于沟道耗尽浅P阱的快关断SJ-IGBT器件
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