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申请/专利权人：北京科技大学
申请日：2024-12-13
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN119310047A
专利技术分类：..镜面反射率[2014.01]
专利摘要：本发明提供一种半导体芯片热物性与热应变的同步测量系统及方法，属于光学检测技术领域。该发明通过泵浦激光光源模块和探测激光光源模块分别发射不同波长的泵浦激光和探测激光，泵浦激光经过调制信号加载模块进行调制后，通过共线聚焦模块与探测激光合束后照射在半导体芯片样品上，从半导体芯片样品表面反射回的探测激光经过偏振分光模块分离和滤波后进入数据采集模块，通过调节三维样品台模块控制半导体芯片样品的位置实现大面积扫描和自动对准，数据采集模块对采集的数据多参数拟合可同时得到半导体芯片样品的热物性与热应变分布，该发明具有非接触式、高精度、同步测量半导体芯片的热物性与热应变分布、操作简便和性能稳定等优点。
专利权项：1.一种半导体芯片热物性与热应变的同步测量系统，其特征在于，所述系统包括：泵浦激光光源模块，用于提供连续稳定的泵浦激光；探测激光光源模块，用于提供连续稳定的探测激光，所述探测激光的波长不同于所述泵浦激光的波长；调制信号加载模块，用于将所述泵浦激光加载频率为的调制信号；偏振分光模块，用于转换所述探测激光的偏振态和分离所述探测激光的光束；共线聚焦模块，用于将所述泵浦激光和所述探测激光合束并聚焦在半导体芯片样品表面；三维样品台模块，用于承载所述半导体芯片样品，并实现对所述半导体芯片样品的大面积扫描和自动对准；数据采集模块，用于采集所述半导体芯片样品的表面反射的探测激光，并对采集到的数据进行多参数拟合，得到所述半导体芯片样品的热物性与热应变分布。
百度查询： 北京科技大学 一种半导体芯片热物性与热应变的同步测量系统及方法
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