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申请/专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
申请日：2023-02-14
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN116288252B
专利技术分类：.以镀覆方法为特征的（C23C16/04优先）[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种利用MOCVD系统修复石墨盘表面SiC涂层的方法，涉及半导体器件技术领域，包括以下步骤：将待修复的石墨盘放入MOCVD系统的反应腔内通入SiH4和C3H8进行修复反应，获得表面覆盖有SiC涂层的石墨盘；修复反应的温度为1245～1255℃；修复反应的压力为190～210torr；所述SiH4的体积流量为Q1，所述C3H8的体积流量为Q2，满足：3≤Q2Q1≤7.5。本申请通过控制修复反应的压力在合适的范围以及协同调控修复反应中生长源的流量比适当，利于改善SiC在石墨盘表面的沉积速率，合适的沉积速率利于SiC涂层的生长，在合适的时间范围内沉积可以提升石墨盘的循环使用寿命。
专利权项：1.一种利用MOCVD系统修复石墨盘表面SiC涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：将待修复的石墨盘放入MOCVD系统的反应腔内通入SiH4和C3H8进行修复反应，获得表面覆盖有SiC涂层的石墨盘；修复反应的温度为1245～1255℃；修复反应的压力为190～210torr；所述SiH4的体积流量为Q1sccm，所述C3H8的体积流量为Q2sccm，满足：3≤Q2Q1≤7.5；100≤Q1≤150，500≤Q2≤750。
百度查询： 北京中博芯半导体科技有限公司 利用MOCVD系统修复石墨盘表面SiC涂层的方法
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