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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111864069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910346336.6，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置是由袁广才;郭康;董学;卢鑫泓设计研发完成，并于2019-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可提高薄膜晶体管的迁移率。该薄膜晶体管包括设置于衬底上的绝缘层、包括碳纳米管的有源图案、源极和漏极；所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触；所述绝缘层包括多个条形的凹槽，所述凹槽与所述条形子图案一一对应，且所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述条形子图案在所述衬底上的正投影完全重叠。

本发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于衬底上的绝缘层、包括碳纳米管的有源图案、源极和漏极；所述碳纳米管为半导体型碳纳米管；所述有源图案包括沿第一方向延伸且间隔设置的多个条形子图案；沿所述第一方向，所述有源图案中的每个所述条形子图案中的一端与所述源极相接触、另一端与所述漏极相接触；所述条形子图案的横截面的宽度范围为大于或等于500nm、且小于1000nm；所述横截面与所述衬底的厚度方向垂直，所述横截面的宽度与所述第一方向垂直；所述绝缘层包括多个条形的凹槽，所述凹槽与所述条形子图案一一对应，且所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述条形子图案在所述衬底上的正投影完全重叠；所述凹槽贯通所述绝缘层；每个所述凹槽中填充有修饰图案；所述有源图案设置于所述修饰图案背离所述衬底一侧；所述修饰图案与所述条形子图案一一对应且直接接触，所述修饰图案在所述衬底上的正投影和与其对应的所述条形子图案在所述衬底上正投影完全重叠；其中，所述修饰图案的材料不与所述绝缘层的材料发生化学反应；所述修饰图案的材料为两性偶联剂，所述两性偶联剂为硅烷偶联剂；所述修饰图案与所述条形子图案的厚度之和大于与其对应的凹槽的深度。

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