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龙图腾网恭喜荣耀终端股份有限公司申请的专利MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117672977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211008429.6，技术领域涉及：H01L23/13；该发明授权MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备是由王全龙;黄松设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供的MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备，MOSFET封装结构通过将MOSFET芯片的第一表面贴装在载体芯片的安装区域内，MOSFET芯片与载体芯片之间的互连距离短，寄生电感小，易于实现高频率驱动。并且，通过在MOSFET芯片的第二表面贴装导电件形成MOSFET组件，MOSFET芯片上的输入垫、输出垫及接地垫为大电流通过区域，通过设置三个导电件分别与输入垫、输出垫及接地垫电连接，MOSFET芯片的大电流通过区域通过导电件与电路板互连，导电件不仅具有高载流能力，而且，还可以减小互连的电阻，减少MOSFET芯片的产热，且导电件的导热能力强，能够提升MOSFET芯片的散热性能。另外，MOSFET组件直接贴装于载体芯片组成MOSFET封装结构，封装体积小，有利于MOSFET封装结构的小型化。

本发明授权MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET封装结构，其特征在于，包括载体芯片、MOSFET芯片和三个导电件，所述载体芯片用于驱动所述MOSFET芯片导通并为所述MOSFET芯片提供充电电流；所述载体芯片的一侧表面为安装面，所述安装面分布有多个第一焊盘，所述安装面具有安装区域，所述安装区域内设有多个所述第一焊盘，所述MOSFET芯片具有相背的第一表面和第二表面，所述第一表面贴装于所述安装区域内并与所述安装区域内的第一焊盘连接，三个所述导电件均贴装于所述第二表面且间隔设置，所述导电件被配置为面向电路板并与所述电路板连接；其中，所述MOSFET芯片包括输入垫、输出垫和接地垫，三个所述导电件分别与所述输入垫、所述输出垫及所述接地垫电连接。

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