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龙图腾网恭喜长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利具有带有升高源极/漏极的凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280001934.X，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权具有带有升高源极/漏极的凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及其形成方法是由鞠韶复;刘峻设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有带有升高源极/漏极的凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列和耦接到存储器单元阵列的多个外围电路。外围电路包括第一外围电路，第一外围电路包括凹槽式沟道晶体管。凹槽式沟道晶体管包括：具有凹槽的阱；凹槽栅极结构，突出到阱的凹槽中并且包括栅极电介质以及栅极电介质上的栅极电极；在栅极电极的侧壁上的间隔体结构；以及由间隔体结构间隔开的源极和漏极。源极和漏极的顶表面从间隔体结构的底表面升高。

本发明授权具有带有升高源极/漏极的凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括：存储器单元阵列；以及多个外围电路，所述多个外围电路耦接到所述存储器单元阵列，所述外围电路包括第一外围电路，所述第一外围电路包括凹槽式沟道晶体管，所述凹槽式沟道晶体管包括：具有凹槽的阱；凹槽栅极结构，所述凹槽栅极结构突出到所述阱的所述凹槽中，并且包括弯曲的栅极电介质以及所述栅极电介质上的栅极电极，其中，所述栅极电介质包括侧部和底部；间隔体结构，所述间隔体结构在所述栅极电极的侧壁上；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极由所述间隔体结构间隔开，其中，所述源极和所述漏极的顶表面从所述间隔体结构的底表面升高，其中，所述源极和所述漏极均包括：具有深结轮廓和较低掺杂浓度的第一区域；以及具有浅结轮廓和较高掺杂浓度的第二区域，其中，所述第一区域与所述栅极电介质的侧部接触，其中，所述第二区域包括在所述间隔体结构的所述底表面之上并且与所述间隔体结构的侧壁接触的升高部分作为第一部分、以及在所述间隔体结构的所述底表面之下且不与所述栅极电介质接触的第二部分，并且其中，在垂直于所述第一外围电路的衬底的方向上，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度。

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