买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利电力用半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111203053.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权电力用半导体装置是由原口友树;增冈史仁;陈则设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本电力用半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的技术的目的在于抑制电力用半导体装置的耐压下降。半导体基体11具有：n‑型的半导体基板3；以及至少1个p型扩散层4，其在终端区域2处的半导体基板3的第1主面S1侧的表层彼此分离地形成。电力用半导体装置101具有在绝缘膜5、15之间的半导体基体11的第1主面S1之上形成的至少1个绝缘膜25。半绝缘膜8在绝缘膜25之上与绝缘膜25接触，在绝缘膜5、15之间的未形成绝缘膜25的至少大于或等于2个区域与第1主面S1接触。

本发明授权电力用半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种电力用半导体装置，其在俯视观察时被划分为单元区域和将所述单元区域包围的终端区域，该电力用半导体装置具有：半导体基体，其具有第1主面；第1绝缘膜，其形成于所述终端区域的内周侧端部处的所述第1主面之上；第2绝缘膜，其形成于所述终端区域的外周侧端部处的所述第1主面之上；第1电极，其形成于所述单元区域处的所述第1主面之上以及所述第1绝缘膜之上；第2电极，其形成于所述终端区域的外周侧端部处的所述第1主面之上以及所述第2绝缘膜之上；以及半绝缘膜，其与所述第1电极、所述第2电极、所述第1绝缘膜以及所述第2绝缘膜接触，在所述第1绝缘膜以及所述第2绝缘膜之间与所述第1主面接触，所述半导体基体具有：第1导电型的半导体基板；以及至少1个第2导电型的第1扩散层，其在所述终端区域处的所述半导体基板的所述第1主面侧的表层彼此分离地形成，该电力用半导体装置还具有在所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间的所述半导体基体的所述第1主面之上形成的至少1个第3绝缘膜，所述半绝缘膜在所述第3绝缘膜之上与所述第3绝缘膜接触，在所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间的未形成所述第3绝缘膜的至少大于或等于2个区域与所述第1主面接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。