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龙图腾网恭喜中国科学院理化技术研究所申请的专利一种有序直通孔隙结构的银电极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115287729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110408718.4，技术领域涉及：C25D11/34；该发明授权一种有序直通孔隙结构的银电极材料及其制备方法是由张志颖;何秋云;聂士东;刘春艳;田华设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有序直通孔隙结构的银电极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种有序直通孔隙结构的银电极材料，所述银电极材料的表面分布有银纳米粒子组成的类柱状结构阵列，在垂直于银电极材料表面的方向上，类柱状结构之间的间隙为直线或近似直线的直通孔隙；其中类柱状结构的横向尺寸为0.1～20μm，类柱状结构的高度为0.2～1.4mm，类柱状结构之间的间隙0.01～10.0μm。该直通孔隙结构有利于提高电解质的扩散速率，提高电化学反应过程中反应物与产物在电极表面的交换速率，提高了反应速率；同时，纳米银组成的类柱状结构的电导率比普通银粉末电极的电导率更高，利于电子在电极本体中的传输，因此，本发明中的银电极材料的极化效应和过电势更低，电化学性能更优异。此外，本发明还提供了该银电极材料的制备方法，过程简单，容易操作，参数调控方便，工艺更加灵活，制备效率更高。

本发明授权一种有序直通孔隙结构的银电极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种有序直通孔隙结构的银电极材料，其特征在于，所述银电极材料的表面分布有银纳米粒子组成的类柱状结构阵列，在垂直于银电极材料表面的方向上，类柱状结构之间的间隙为直线或近似直线的直通孔隙结构；其中类柱状结构的横向尺寸为0.1～20μm，类柱状结构的高度为0.2～1.4mm，相邻类柱状结构之间的距离为0.01～10.0μm；所述银电极材料中类柱状结构生长的基底上分布有银网；所述银网中每个网格的长度为2-4mm，宽度为1-2mm，银网丝直径为0.3-0.6mm；所述银电极材料按照如下步骤制备得到：将银粉置于模具中，压制待氧化银电极材料；待氧化银电极材料经过电化学氧化过程被氧化为氧化银电极材料；氧化银电极材料经过电化学还原过程被还原为银电极材料；其中，电化学氧化过程中的电流密度为3-50mAcm2；电化学还原过程中的放电倍率为0.10-10C；所述银粉的粒径为50-300nm；所述银电极材料表面的孔隙率为50～85％；所述银电极具有片状结构，片状结构的两侧表面均具有类柱状结构阵列，片状结构的厚度为0.5-3.0mm。

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