恭喜台湾积体电路制造股份有限公司邱文智获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110176458.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体器件及其形成方法是由邱文智;余振华设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：提供半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：第一逻辑管芯，包括第一通孔；图像传感器管芯，混合接合至第一逻辑管芯；以及第二逻辑管芯，接合至第一逻辑管芯。第一逻辑管芯的前侧面向图像传感器管芯的前侧。第二逻辑管芯的前侧面向第一逻辑管芯的后侧。第二逻辑管芯包括电耦合至第一通孔的第一导电焊盘。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一逻辑管芯，包括第一通孔；图像传感器管芯，混合接合至所述第一逻辑管芯，所述第一逻辑管芯的前侧面向所述图像传感器管芯的前侧；以及第二逻辑管芯，接合至所述第一逻辑管芯，所述第二逻辑管芯的前侧面向所述第一逻辑管芯的后侧，所述第二逻辑管芯包括电耦合至所述第一通孔的第一导电焊盘；密封剂，沿着所述第二逻辑管芯的侧壁延伸，所述密封剂的第一表面与所述第一逻辑管芯间隔的距离大于所述密封剂的第一表面与所述第二逻辑管芯的后侧的距离，所述密封剂的第一表面和所述第二逻辑管芯的后侧背离所述第一逻辑管芯；再分布结构，位于所述密封剂的第一表面上，所述第二逻辑管芯介于所述第一逻辑管芯与所述再分布结构之间，所述密封剂的部分介于所述第二逻辑管芯的后侧与所述再分布结构之间，所述第二逻辑管芯的后侧面向所述再分布结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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