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龙图腾网恭喜华芯程(杭州)科技有限公司申请的专利一种优化光刻胶模型一致性的方法、装置、电子设备、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119203617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411712031.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种优化光刻胶模型一致性的方法、装置、电子设备、存储介质是由韩旭设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优化光刻胶模型一致性的方法、装置、电子设备、存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及模型优化领域，公开了一种优化光刻胶模型一致性的方法、装置、电子设备、存储介质，包括步骤S11：当对光刻胶模型中的模拟项参数进行当前代搜索和仿真后，对与光刻胶模型对应的测试图形进行移位；步骤S12：确定在测试图形移位后与预设采样点处的关键尺寸对应的光刻胶参数密度差；步骤S13：根据光刻胶参数密度差与预设密度差阈值的关系，确定代价函数的函数值；步骤S14：对光刻胶模型中的模拟项参数进行下一代的搜索和仿真，并进入步骤S11，直至光刻胶模型中的模拟项参数进行搜索和仿真的代数等于预设代数阈值；步骤S15：确定所有函数值中的最小值，将最小的函数值作为光刻胶优化最终结果，可以提升光刻胶模型一致性。

本发明授权一种优化光刻胶模型一致性的方法、装置、电子设备、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种优化光刻胶模型一致性的方法，其特征在于，包括：步骤S11：当对光刻胶模型中的模拟项参数进行当前代搜索和仿真后，对与所述光刻胶模型对应的测试图形进行移位；步骤S12：确定在所述测试图形移位后与预设采样点处的关键尺寸对应的光刻胶参数密度差；步骤S13：根据所述光刻胶参数密度差与预设密度差阈值的关系，确定代价函数的函数值；步骤S14：对光刻胶模型中的模拟项参数进行下一代的搜索和仿真，并进入步骤S11，直至光刻胶模型中的模拟项参数进行搜索和仿真的代数等于预设代数阈值；步骤S15：确定所有所述函数值中的最小值，并将最小的所述函数值作为光刻胶优化最终结果；根据所述光刻胶参数密度差与预设密度差阈值的关系，确定代价函数的函数值包括：判断所述光刻胶参数密度差是否大于所述预设密度差阈值；若所述光刻胶参数密度差不大于所述预设密度差阈值，则根据所述测试图形移位后在预设采样点处的所述关键尺寸和实际测量关键尺寸，确定所述函数值；若所述光刻胶参数密度差大于所述预设密度差阈值，则根据所述测试图形移位后在预设采样点处的所述关键尺寸、实际测量关键尺寸以及惩罚项参数，确定所述函数值。

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