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龙图腾网恭喜江苏联格科技有限公司申请的专利一种基于LNOI平台实现探测功能的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170714B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411658784.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基于LNOI平台实现探测功能的制备方法是由郑志明;孙竹静;李希琛设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于LNOI平台实现探测功能的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于LNOI平台实现探测功能的制备方法，所述基于LNOI平台实现探测功能的制备方法包括制备LNOI晶圆，所述LNOI晶圆从上到下依次设置有LN层、第一氧化硅层、第一硅层、第二氧化硅层和第二硅层；对LNOI晶圆进行有机无机清洗和镀金属掩膜；对LNOI晶圆从上而下依次刻蚀LN层和第一氧化硅层至第一硅层；将经过蚀刻的LNOI晶圆进行清洗，通过外延生长设备通入锗烷气体，通过选择性外延工艺，在第一硅层上外延出锗薄膜；在LNOI晶圆上开设锗窗口，向锗窗口注入磷原子，经过退火处理后，生成P型锗；对氧化硅进行沉积，开设锗的电极窗口和硅的电极窗口，沉积金属电极，完成锗探测器制作；具有实现在LNOI晶圆上增加探测功能的优点。

本发明授权一种基于LNOI平台实现探测功能的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于LNOI平台实现探测功能的制备方法，其特征在于，包括：制备LNOI晶圆，所述LNOI晶圆从上到下依次设置有LN层、第一氧化硅层、第一硅层、第二氧化硅层和第二硅层；其中，第一硅层为N型重掺杂层；对LNOI晶圆进行有机无机清洗和镀金属掩膜；对LNOI晶圆从上而下依次刻蚀LN层和第一氧化硅层至第一硅层；将经过蚀刻的LNOI晶圆进行清洗，通过外延生长设备通入锗烷气体，通过选择性外延工艺，在第一硅层上外延出锗薄膜；完成锗薄膜外延后，在LNOI晶圆上开设锗窗口，向锗窗口注入硼原子，经过退火处理后，生成P型锗；对氧化硅进行沉积，完成氧化硅沉积后，开设锗的电极窗口和第一硅层的电极窗口，沉积金属电极，完成锗探测器制作。

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