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龙图腾网获悉福建龙夏电子科技有限公司申请的专利一种集成双向开关MOSFET获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222602901U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420637358.4，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型一种集成双向开关MOSFET是由张华春;廖伟鹏;钟志龙设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成双向开关MOSFET在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种集成双向开关MOSFET，包括第一沟槽组和第二沟槽组沿N‑外延层水平中轴线对称设置，第一沟槽组和第二沟槽组分别包括若干相同条状沟槽，条状沟槽内生长栅极氧化层，栅极氧化层内淀积栅极多晶，第一沟槽组内的条状沟槽内的栅极多晶形成MOSFET的第一栅极，第二沟槽组内的条状沟槽内的栅极多晶形成MOSFET的第二栅极；第一沟槽组外N‑外延层上部形成有第一P阱层，第二沟槽组内N‑外延层上部形成有第二P阱层；第一P阱层上部形成有第一N+有源层，第一N+有源层与第一沟槽组内的栅极多晶短接形成MOSFET的第一源极；第二P阱层下部形成有第二N+有源层，第二N+有源层与第二沟槽组内的栅极多晶短接形成MOSFET的第二源极，第一源极和第二源极形成MOSFET的双向开关。

本实用新型一种集成双向开关MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种集成双向开关MOSFET，其特征在于，包括：N-外延层、形成于所述N-外延层上部的第一沟槽组、形成于所述N-外延层下部的第二沟槽组；所述第一沟槽组和第二沟槽组沿所述N-外延层水平中轴线对称设置，所述第一沟槽组和第二沟槽组分别包括若干相同条状沟槽，所述条状沟槽内生长栅极氧化层，所述栅极氧化层内淀积栅极多晶，所述第一沟槽组内的条状沟槽内的栅极多晶形成MOSFET的第一栅极，所述第二沟槽组内的条状沟槽内的栅极多晶形成MOSFET的第二栅极；所述第一沟槽组外所述N-外延层上部形成有第一P阱层，所述第二沟槽组内所述N-外延层上部形成有第二P阱层；所述第一P阱层上部形成有第一N+有源层，第一N+有源层与所述第一沟槽组内的栅极多晶短接形成MOSFET的第一源极；所述第二P阱层下部形成有第二N+有源层，第二N+有源层与所述第二沟槽组内的栅极多晶短接形成MOSFET的第二源极，所述第一源极和第二源极形成MOSFET的双向开关。

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