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龙图腾网恭喜海光信息技术(苏州)有限公司申请的专利一种静电释放防护结构、晶粒、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117497533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311510008.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种静电释放防护结构、晶粒、芯片及电子设备是由刘勇江;金军贵;张阳设计研发完成，并于2023-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种静电释放防护结构、晶粒、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种静电释放防护结构、晶粒、芯片及电子设备，涉及芯片领域。静电释放防护结构包括保护电路；所述保护电路在被防护电路正常工作状态下处于截止状态；所述保护电路在所述被防护电路发生静电释放的状态下处于导通状态，以泄放所述被防护电路静电释放的电荷；其中，所述保护电路具有放大特性，所述放大特性为对静电释放电荷形成的电流进行放大的特性。由于保护电路具有放大特性，可以将静电释放结构电路对电荷电流的泄放能力进行放大，由此，放大特性可以提高相同尺寸面积下保护电路对电荷电流的泄放能力，从而提高静电释放防护结构对静电释放的防护能力，通过该静电释放防护结构，可以将电荷电流快速泄放，保证芯片的应用安全。

本发明授权一种静电释放防护结构、晶粒、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种静电释放防护结构，其特征在于，包括：保护电路，与被防护电路的电荷释放端连接；所述保护电路在被防护电路正常工作状态下处于截止状态；所述保护电路在所述被防护电路发生静电释放的状态下处于导通状态，以泄放所述被防护电路静电释放的电荷；其中，所述保护电路具有放大特性，所述放大特性为对静电释放电荷形成的电流进行放大的特性；所述保护电路包括电源端、接地端、第一放大电路和第二放大电路；所述电源端用于接入电源；所述第一放大电路的输入端与所述第二放大电路的输出端连接；所述电荷释放端连接于所述第一放大电路的输入端与所述第二放大电路的输出端之间；所述第一放大电路的输出端为所述电源端；所述第二放大电路的输入端为所述接地端；所述第一放大电路包括第一P型二极管和第二P型二极管，所述第一P型二极管的正极与所述第二放大电路的输出端连接，所述第一P型二极管的负极为所述电源端，所述第二P型二极管的正极和负极同时与所述第一P型二极管的负极连接；或，所述第一放大电路包括第一PMOS和第二PMOS，所述第一PMOS的源极为电源端，所述第一PMOS的栅极和漏极与所述第二放大电路的输出端连接，所述第二PMOS的三个极均与所述第一PMOS的源极连接；或，所述第二放大电路包括第一N型二极管和第二N型二极管，所述第一N型二极管的正极为所述接地端，所述第一N型二极管负极与所述连接，所述第二N型二极管的正极和负极同时与所述第一N型二极管的正极连接；或，所述第二放大电路包括第一NMOS管和第二NMOS；所述第一NMOS的源极为接地端；所述第一NMOS的栅极和漏极与所述第一放大电路的输入端连接；所述第二NMOS的三个极均与所述第一NMOS的源极连接。

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