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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十八研究所申请的专利一种背钝化接触异质结太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210859661.4，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种背钝化接触异质结太阳电池及其制备方法是由陆运章;周蒙;郭进;杨晓生;周洪彪设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背钝化接触异质结太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背钝化接触异质结太阳电池及其制备方法，该电池包括晶硅衬底，晶硅衬底的背面设有由隧穿氧化层，交替排列有P+掺杂纳米晶硅微晶硅层、纳米晶硅微晶硅层和N+掺杂纳米晶硅微晶硅层，背面减反射钝化层构建的背接触钝化结构。其制备方法包括采用离子注入方式将硼离子和磷离子间隔注入到纳米晶硅微晶硅薄膜中并进行退火处理形成交替排列的P+掺杂区域和N+掺杂区域。本发明背钝化接触异质结太阳电池具有转换效率高的特点，可高达25％以上，其制备方法还具有工艺简单、操作方便、成本低廉等优点，有利于电池的转换效率和良率，适合于大规模制备，利于工业化应用，对于促进HBC电池的产业化应用具有十分重要的意义。

本发明授权一种背钝化接触异质结太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背钝化接触异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对晶硅衬底的背面进行抛光；S2、依次在晶硅衬底的背面沉积隧穿氧化层和本征非晶硅层；S3、对晶硅衬底的正面进行制绒，形成金字塔绒面；S4、对沉积有隧穿氧化层和本征非晶硅层的晶硅衬底进行热氧退火，在晶硅衬底的正面形成正面钝化层，在晶硅衬底的背面形成纳米晶硅微晶硅薄膜；所述热氧退火在有氧气氛下进行；所述热氧退火的过程中，保持压力为40～80kPa，温度600℃～700℃；S5、采用离子注入的方式将磷离子和硼离子间隔注入到纳米晶硅微晶硅薄膜中；S6、对注入有磷离子和硼离子的纳米晶硅微晶硅薄膜进行退火处理，形成交替排列的P+掺杂纳米晶硅微晶硅层、纳米晶硅微晶硅层和N+掺杂纳米晶硅微晶硅层；所述P+掺杂纳米晶硅微晶硅层由P+掺杂纳米晶硅和P+掺杂微晶硅混合而得；所述纳米晶硅微晶硅层由杂纳米晶硅和杂微晶硅混合而得；所述N+掺杂纳米晶硅微晶硅层由N+掺杂纳米晶硅和N+掺杂微晶硅混合而得；所述退火处理为：在氮气气氛下先升温至560℃～600℃，保持60min～90min，在氧气气氛下升温至900℃～1000℃，保持25min～30min；S7、在晶硅衬底的正面、背面沉积减反射钝化层；S8、在晶硅衬底的背面的减反射钝化层上分别制备金属负电极和金属正电极，完成对背钝化接触异质结太阳电池的制备。

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