恭喜环球晶圆股份有限公司J·柳获国家专利权
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龙图腾网恭喜环球晶圆股份有限公司申请的专利使用水平磁场生产硅的系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114787429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080086321.1，技术领域涉及：C30B15/10；该发明授权使用水平磁场生产硅的系统及方法是由J·柳;池浚焕;尹佑镇;R·菲利普斯;卡瑞喜玛·玛莉·哈德森设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用水平磁场生产硅的系统及方法在说明书摘要公布了：一种用于通过水平磁场柴可斯基方法生产硅碇的方法包含：旋转装纳硅熔融物的坩埚；将水平磁场施加到所述坩埚；使所述硅熔融物与晶种接触；及在旋转所述坩埚的同时从所述硅熔融物抽出所述晶种以形成硅碇。所述坩埚具有可湿表面及形成于其上的方石英层。
本发明授权使用水平磁场生产硅的系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于生产硅碇的方法，所述方法包括：旋转装纳硅熔融物的天然砂坩埚，所述坩埚具有内壁及以每分钟多于两转形成于其上的方石英层，所述方石英层具有0.25mm和1.25mm之间的厚度；将水平磁场施加到所述坩埚；使所述硅熔融物与晶种接触；及在每分钟两转和每分钟五转之间旋转所述坩埚的同时从所述硅熔融物抽出所述晶种以形成所述硅碇。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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