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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片、集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010279627.0，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权集成芯片、集成电路及其形成方法是由蔡敏瑛;吴政达;杜友伦设计研发完成，并于2020-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成芯片、集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种包括设置在半导体衬底内的第一衬底穿孔的集成芯片。半导体衬底具有分别在半导体衬底的相对侧上的前侧表面及背侧表面。半导体衬底包括从前侧表面延伸到背侧表面的第一掺杂沟道区。第一衬底穿孔至少由第一掺杂沟道区定义。导电接触件上覆于半导体衬底的背侧表面且包括上覆于第一衬底穿孔的第一导电层。第一导电层包括导电材料。上部导电层位于导电接触件之下。上部导电层的上表面与半导体衬底的背侧表面对准。上部导电层包括导电材料的硅化物。

本发明授权集成芯片、集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括：半导体衬底，具有分别在所述半导体衬底的相对侧上的前侧表面及背侧表面，其中所述半导体衬底包括从所述前侧表面延伸到所述背侧表面的第一掺杂沟道区；第一衬底穿孔，至少由所述第一掺杂沟道区定义；导电接触件，上覆于所述半导体衬底的所述背侧表面，其中所述导电接触件包括上覆于所述第一衬底穿孔的第一导电层，其中所述第一导电层包括导电材料；以及上部导电层，位于所述导电接触件之下，其中所述上部导电层的上表面与所述半导体衬底的所述背侧表面对准，且其中所述上部导电层包括所述导电材料的硅化物。

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