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龙图腾网恭喜江苏集萃微纳自动化系统与装备技术研究所有限公司申请的专利基于标准CMOS工艺的单层多晶结构EEPROM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109473430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811456480.7，技术领域涉及：H10B20/20；该发明授权基于标准CMOS工艺的单层多晶结构EEPROM是由齐敏;孙泉;宋培滢设计研发完成，并于2018-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于标准CMOS工艺的单层多晶结构EEPROM在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单层多晶结构EEPROM，包括P型硅基材、均设置在P型硅基材的第一N型阱和第二N型阱，以及耦合电容管和PMOS晶体管；耦合电容管包括第一浮栅、耦合电容端和第一栅氧化层，耦合电容端和第一栅氧化层均设置在第一N型阱上，第一浮栅设置在第一栅氧化层上；PMOS晶体管包括第二浮栅、均设置在第二N型阱上的P+源极掺杂区、P+漏极掺杂区、N+衬底掺杂区和第二栅氧化层，第二浮栅设置在第二栅氧化层上；第二浮栅通过浮栅导电连接第一浮栅。本发明的单层多晶结构EEPROM，通过改进EEPROM的结构，使之能够承受擦除时的操作电压，与此同时能够基于标准CMOS工艺生产，而不仅仅只局限于某些特定工艺，改善单层多晶结构EEPROM的兼容性，利于降低制造成本。

本发明授权基于标准CMOS工艺的单层多晶结构EEPROM在权利要求书中公布了：1.一种基于标准CMOS工艺的单层多晶结构EEPROM，其特征在于：包括，P型硅基材；第一N型阱，其设置在所述P型硅基材上；第二N型阱，其设置在所述P型硅基材上；耦合电容管，其包括第一浮栅、耦合电容端和第一栅氧化层，所述耦合电容端和第一栅氧化层均设置在所述第一N型阱上，所述第一浮栅设置在所述第一栅氧化层上；PMOS晶体管，其用作所述EEPROM的隧道管和读出管；其包括第二浮栅、P+源极掺杂区、P+漏极掺杂区、N+衬底掺杂区和第二栅氧化层；所述P+源极掺杂区、P+漏极掺杂区、N+衬底掺杂区和第二栅氧化层均设置在所述第二N型阱上，所述第二浮栅设置在第二栅氧化层上；所述第二浮栅通过浮栅导电连接所述第一浮栅；其中，所述PMOS晶体管的P+源极掺杂区、P+漏极掺杂区及N+衬底掺杂区均加擦除电压，所述擦除电压为10V~20V；所述耦合电容管为PMOS晶体管，其包括均设置在所述第一N型阱上的N+掺杂区和两个第一P+掺杂区，所述N+掺杂区和两个第一P+掺杂区导电连接形成所述耦合电容端；所述第一浮栅和第二浮栅通过浮栅导电连接，使得所述第一栅氧化层形成的第一栅氧化层电容和所述第二栅氧化层形成的第二栅氧化层电容串联；所述耦合电容管的耦合系数为第一栅氧化层电容与第二栅氧化层电容的比值；所述耦合电容管的耦合系数为5~15；所述P型硅基材上位于第一N型阱和第二N型阱之间设有第二P+掺杂区。

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