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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188731B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210808320.4，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王新胜;张莉;张高升;万先进;华子群;王家文;丁滔滔;朱宏斌;程卫华;杨士宁设计研发完成，并于2018-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的第一粘附层；位于所述第一粘附层表面的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层表面的第一键合层，所述第一粘附层和第一缓冲层的致密度均大于所述第一键合层的致密度，所述第一键合层和所述第一缓冲层的材料均为包含C元素的介质材料。所述半导体结构的第一粘附层与所述第一基底以及第一缓冲层之间、第一缓冲层与第一键合层之间具有较高的粘附性，避免断裂；且所述第一键合层在键合后也能在键合表面具有较强的键合力，能够阻挡金属材料在键合界面的扩散，有利于提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一基底；位于所述第一基底表面的第一粘附层，所述第一粘附层的材料包含Si和N；位于所述第一粘附层表面的第一缓冲层，所述第一缓冲层的材料为包含Si、N、C元素的介质材料；位于所述第一缓冲层表面的第一键合层，所述第一粘附层和第一缓冲层的致密度均大于所述第一键合层的致密度，所述第一键合层的材料为包含Si、N、C元素的介质材料；第二基底，所述第二基底表面形成有第二粘附层、位于所述第二粘附层表面的第二缓冲层，位于所述第二缓冲层表面的第二键合层；所述第二粘附层和第二缓冲层的致密度均大于所述第二键合层的致密度；所述第二键合层与所述第一键合层的材料相同，所述第二缓冲层与所述第一缓冲层的材料相同，所述第二粘附层与所述第一粘附层的材料相同，所述第二键合层与所述第一键合层表面相对键合固定。

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