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龙图腾网恭喜南京国兆光电科技有限公司申请的专利提高光提取效率的Micro-LED结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411813483.7，技术领域涉及：H10H20/855；该发明授权提高光提取效率的Micro-LED结构及其制造方法是由孙真昊;丁源;彭劲松;宋琦;张伟;杨建兵设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高光提取效率的Micro-LED结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高光提取效率的Micro‑LED结构及其制造方法，结构包括：驱动背板；位于驱动背板之上的介质层和电极连接PAD，位于介质层之上的若干第一高反射率阳极金属；位于电极连接PAD之上的第二高反射率阳极金属；第一高反射率阳极金属与第二高反射率阳极金属不接触；位于第二高反射率阳极金属之上的LED管芯；位于LED管芯两侧、第二高反射率阳极金属两侧、介质层之上的钝化层；位于第一高反射率阳极金属之上的反射环填充基底；位于反射环填充基底处阴极电极上的反射环表面涂层；位于介质层之上、阴极电极之上、反射环表面涂层之上的保护介质层及介质微透镜，最终实现提高光提取效率并减低像素间光串扰。

本发明授权提高光提取效率的Micro-LED结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种提高光提取效率的Micro-LED结构，其特征在于，包括：驱动背板；定义驱动背板所在平面为XY平面，器件长度方向为X方向，Z方向垂直于XY平面；位于驱动背板之上的介质层和电极连接PAD，介质层和电极连接PAD间隔设置；XY平面上，电极连接PAD为若干个，且不连通；位于介质层之上的若干第一高反射率阳极金属；位于电极连接PAD之上的第二高反射率阳极金属；第一高反射率阳极金属与第二高反射率阳极金属不接触；位于第二高反射率阳极金属之上的LED管芯；电极连接PAD与LED管芯一一对应，XZ平面上LED管芯呈圆台状，在XY平面上，LED管芯呈圆形；LED管芯的顶部为GaN微透镜阵列；位于LED管芯两侧、第二高反射率阳极金属两侧、介质层之上的钝化层；位于第一高反射率阳极金属之上的反射环填充基底；XZ平面上，反射环填充基底呈正梯形；位于反射环填充基底两侧及之上、第一高反射率阳极金属两侧、介质层之上、钝化层两侧及之上、LED管芯顶部的阴极电极；阴极电极与反射环表面涂层和第一高反射率阳极金属接触，与第二高反射率阳极金属不接触；位于反射环填充基底处阴极电极上的反射环表面涂层；位于介质层之上、阴极电极之上、反射环表面涂层之上的保护介质层及介质微透镜，保护介质层及介质微透镜、LED管芯、GaN微透镜阵列、电极连接PAD中心共线。

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